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Aufbau- und Verbindungstechnik in Hochfrequenztechnik und Elektronik (ehemals SiP)

Aufbau- und Verbindungstechnik in Hochfrequenztechnik und Elektronik (ehemals SiP)
Typ: Vorlesung
Lehrstuhl: IHE
Semester: WS 17/18
Ort:

Hochspannungstechnik-Hörsaal (HSI)

 

Zeit:

Donnerstag, 09:45 - 11:15 Uhr

Beginn: 25.10.2018
Dozent:

Dr.-Ing. Mario Pauli

Betreuer:

SWS: 2
ECTS: 3
LVNr.: Vorlesung: 2308433
Prüfung:

mündlich

Hinweis:

Am 18.10.2018 findet keine Vorlesung statt! Beginn am 25.10.2018.

Vortragssprache:

Deutsch


Voraussetzungen:

Grundwissen zur höheren Mathematik, zu Felder und Wellen und zu elektronischen Schaltungen sowie Grundlagen der Hochfrequenztechnik.

Lernziele:

Ziel ist die Vermittlung theoretischer Grundlagen der Aufbau- und Verbindungstechnik für integrierte Millimeterwellenschaltungen.

Kurzbeschreibung der Lehrveranstaltung:

Vertiefungsvorlesung zur Hochfrequenztechnik: Schwerpunkte der Vorlesung sind die Vermittlung eines grundlegendes Verständnisses von Chip-Level-Verbindungen (wire-bond, TAB, Flip-Chip, usw.) sowie die Funktionen und Anforderungen an die Aufbautechnik im Hinblick auf Hochfrequenztauglichkeit, Versorgungsspannungen und thermische Randbedingungen.

Die Vorlesung gibt außerdem einen Überblick über gängige Verfahren, wie sie heute in der Industrie angewendet werden.

Inhalt:

Zu Beginn erfolgt eine kurze Einführung an die wachsenden Anforderungen der Aufbau- und Verbindungstechnik und die daraus resultierenden Entwicklungen. Aufgrund immer kleineren Dimensionierungen einer IC und dem erhöhten Verlangen von I/O Anschlüssen erfolgt der Einstieg mit einer Übersicht der Entwicklungen in den Package-to-Board (Level 2.0) Verbindungen. Anschließend werden gängige Technologien zur Chip-to-Package (Level 1.0) Konnektierung (Wirebond, TAB, Flip-Chip) vorgestellt. Allgemeine Aspekte, die bei der Auslegung und Dimensionierung eines Systems betrachtet werden müssen, werden aufgezeigt. Der Bezug zu elektrischen (Signal- und Versorgungsleitungen) und thermischen Eigenschaften (z.B. Wärmeabfuhr) steht dabei im Vordergrund. Mit dem Verlangen von immer höheren Packungsdichten reichen herkömmliche Package und Board Konfigurationen nicht mehr aus. Die Verschmelzung von Level 1.0 und Level 2.0 Verbindungen wird an verschiedenen Verfahren zur Multi-Chip- und Multi-Layer- Herstellung aufgezeigt. Verschiedene Verfahren von Dünnschicht-, Dickschichttechnik und Techniken wie LTCC werden vorgestellt. Speziell für die Verbindung von Modulen im Millimeterwellen-Bereich kommen neben gängigen planaren Leitungsstrukturen auch verlustarme Hohleitertypen zum Einsatz.

Es ist geplant, eine praktische Vorlesung im Labor durchzuführen sowie einen externen Dozenten aus der Industrie für eine Vorlesung einzuladen.

 

Prüfung:
Termine für mündliche Prüfungen werden noch bekannt gegeben

Zur Prüfung ist mitzubringen:

  • Studienausweis
  • Immatrikulationsbescheinigung oder Studienzeitbescheinigung
  • Zulassungsbescheinigung (blauer Zettel) nur für Studenten des Diplomstudienganges


Master-Studenten melden sich (zusätzlich zur Anmeldeliste des IHE) über das Studierendenportal http://studium.kit.edu  zur Prüfung an. Die Anmeldung muss möglichst bald nach der Eintragung in die Anmeldeliste des IHE erfolgen. Eine Abmeldung ist über das IHE-Sekretariat möglich.