english  | Home | Impressum | Sitemap | KIT
Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)

Engesserstraße 5

Gebäude 30.10 (NTI)

76131 Karlsruhe

Tel.: +49 (0)721 608-42522
Fax.: +49 (0)721 608-45027
E-Mail: infoEhd7∂ihe kit edu

 

 

Außenstelle am LTI:


Engesserstraße 13
Geb. 30.34 (LTI)
76131 Karlsruhe

Herzlich Willkommen am IHE

Das Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ist ein Institut der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik des Bereichs 3 Maschinenbau und Elektrotechnik am Karlsruher Institut für Technologie (KIT).

Die Forschung des Instituts ist auf neuartige Systeme der Mikrowellentechnik und deren Industrialisierung ausgerichtet. Die wichtigsten aktuellen Forschungsthemen sind:

 

In der Lehre wird grundlegendes und anwendungsorientiertes Wissen gleichermaßen vermittelt. Neben Vorlesungen, Übungen und Tutorien erlernen die Studierenden anhand von Fallstudien die praktische Nutzung des erlernten Wissens. Sie werden frühzeitig in praxisorientierte Projekte mit Partnern in der Industrie und Forschung einbezogen.

 

Institutsleitung:

Prof. Dr.-Ing. Thomas Zwick

NEWS

 

Sonderpreis Transferprojekte des KIT an Wissenschaftler des IHE

Preisverleihung am Innovationstag 2017 an IHE-Wissenschaftler
Preisverleihung beim Innovationstag 2017
Größenvergleich des Radarchips mit einer Cent-Münze
Prämierter Radarchip mit Antennen im Größenvergleich (Foto: Silicon Radar GmbH)

Wissenschaftler des IHE haben beim Innovationswettbwerb Neuland den 1. Preis in der Kategorie Sonderpreis Transferprojekte des KIT erhalten. Die Verleihung an Prof. Dr.-Ing. Thomas Zwick, Dr.-Ing. Mario Pauli, Benjamin Göttel und Dr.-Ing. Stefan Beer fand am 28. Juni im Rahmen des Innovationstages 2017 statt. Ausgezeichnet wurde die Entwicklung eines miniaturisierten Millimeterwellen-Radarsensors bei 122 GHz.

Den Wissenschafltern des IHE ist es hierbei gemeinsam mit den Projektpartner in exzellenter Weise gelungen, eine innovative Technologie von der ersten Idee bis zum fertigen Produkt durchgehend zu verfolgen. Kurz nach seiner Berufung zum Professor im Oktober 2007 am KIT gelang es Prof. Zwick zusammen mit den Partnern Bosch, IHP, ST Microelectronics, SiliconRadar, Hightech, Selmic, Evatronix und der University of Toronto ein EU-Projekt „SUCCESS“ zu initiieren und zu gewinnen. Am Ende wurde das weltweit erste komplette Radar-Frontend in einem SMD-Gehäuse realisiert und erfolgreich demonstriert. In Folge haben KIT und Silicon Radar die Idee zusammen mit anderen Partnern weiterverfolgt und parallel den Chip zu einem fertigen Produkt ausentwickelt. Dieses sogenannte Radar-Frontend (= der komplette Analogteil des Radars inklusive Antenne) zeichnet sich neben der einzigartig hohen Miniaturisierung dadurch aus, dass alle hochfrequenten Signale und die fertigungstechnisch kritischen Hochfrequenz-Verbindungen vollständig in einem nur 8 x 8 mm² großen Gehäuse integriert sind (siehe Foto). Alle Verbindungen vom Gehäuse zur Umwelt bestehen aus DC-Verbindungen zur Spannungsversorgung bzw. aus heruntergemischten Zwischenfrequenzen des FMCW-Radars im Bereich einiger 100 kHz. Damit ist das Radar-Frontend von Endanwendern auch ohne spezielle Kenntnisse der Hochfrequenztechnik in einem industriellen Standard-SMD-Bestückungsprozess einsetzbar. Dies ist ein entscheidender Faktor für eine kostengünstige Fertigung und damit essentiell für einen weit verbreiteten Einsatz in der Industrie. Die daraus entstandenen Radarsensoren sind bereits heute bei diversen Anwendern in der Industrie in der Erprobung und ermöglichen Messgenauigkeiten bis in den einstelligen Mikrometerbereich – einer Genauigkeit, die bisher nur teuren und aufwendigen Lasersystemen vorbehalten war.