english  | Home | Impressum | Sitemap | KIT
Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)

Engesserstraße 5

Gebäude 30.10 (NTI)

76131 Karlsruhe

Tel.: +49 (0)721 608-42522
Fax.: +49 (0)721 608-45027
E-Mail: infoZfc9∂ihe kit edu

 

 

Außenstelle am LTI:


Engesserstraße 13
Geb. 30.34 (LTI)
76131 Karlsruhe

Herzlich Willkommen am IHE

Das Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ist ein Institut der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik des Bereichs 3 Maschinenbau und Elektrotechnik am Karlsruher Institut für Technologie (KIT).

Die Forschung des Instituts ist auf neuartige Systeme der Mikrowellentechnik und deren Industrialisierung ausgerichtet. Die wichtigsten aktuellen Forschungsthemen sind:

 

In der Lehre wird grundlegendes und anwendungsorientiertes Wissen gleichermaßen vermittelt. Neben Vorlesungen, Übungen und Tutorien erlernen die Studierenden anhand von Fallstudien die praktische Nutzung des erlernten Wissens. Sie werden frühzeitig in praxisorientierte Projekte mit Partnern in der Industrie und Forschung einbezogen.

 

Institutsleitung:

Prof. Dr.-Ing. Thomas Zwick

NEWS

 

Latest Developments on SiGe BiCMOS Technologies with “More-than-Moore” Modules for mm-wave and THz Applications

Dr.-Ing. Mehmet Kaynak, IHP Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, July 20th, 2:00 p.m., Room 342 (IPQ library), Building 30.10
Bild von Dr.-Ing. Mehmet Kaynak
Dr.-Ing. Mehmet Kaynak

In last decade, SiGe BiCMOS technologies open a new cost-efficient market at mm-wave frequencies. Starting with the commercial use of automotive radars at 77 GHz, the market now has a strong interest on radar, sensor and imaging products at mm-wave and sub-THz frequencies. The latest developments on SiGe HBTs with fmax of beyond 700 GHz boosts the research and development effort on circuit and system area to take share from the new market. In parallel to the developments on SiGe HBT performance, “More-than-Moore” path, which covers all the additional functionalities to the standard CMOS process (i.e. MEMS devices, microfluidics, photonics, heterogeneous integration, etc…), allows to realize multi-functional circuits and systems.

In this talk, the latest developments regarding the high-speed devices and circuits based on SiGe HBTs at IHP will be discussed. The “More-than-Moore” modules for multi-functional device and circuits will also be one of the core topic of discussion.

PDF Announcement