HiWi für das Design von On-Chip RF Schaltungen
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Stellenausschreibung:
Ihre Aufgabe ist es, die Entwicklung eines D-Band (140 GHz) On-Chip RF-Frontends mit integrierter analoger Beamforming-Funktion zu unterstützen – im Kontext von Joint Communication and Sensing Applikationen. Schwerpunkt der Arbeit liegt auf dem Design passiver und aktiver Komponenten einer Rx-Kette, insbesondere des Designs von LNAs und Phase-Shifter. Diese HiWi Position bietet Einblick in den Aufbau und Funktionalität von State-of-the-Art III-V- und BiCMOS-Technologien, sowie wertvolle Erfahrungen in mmW-Komponenten und Schaltungen.
Voraussetzungen
- Erfolgreiches Bestehen von RFE, RFIC bzw MRSE, mit solidem Verständnis der vermittelteten Inhalte
- Erfahrung mit RF-Simulationen wie Cadence Spectre oder Keysight ADS
- Kenntnise mit EM-Simulationstools wie Cadence EMX, RFPro oder ADS Momentum sind ein Plus
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Institut:
IHE
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Eintrittstermin:
jederzeit
- Kontaktperson: